軟起動器可控硅擊穿原因總結

發布時間：2022-12-28 熱度：

索維電氣根據多年現場實踐經驗總結了下造成軟起動器可控硅（晶閘管）擊穿的主要原因有：軟起動器可控硅過壓擊穿，軟起動器可控硅過流與過熱擊穿，軟起動器可控硅過熱擊穿。
 

軟起動器可控硅晶閘管

反并聯可控硅晶閘管散熱器 
 

1、首先軟起動器可控硅過壓擊穿：
過壓擊穿是可控硅擊穿的主要原因之一，可控硅對過壓的承受能力幾乎是沒有時間的，即使在幾毫秒的短時間內過壓也會被擊穿的，因此實際應用電路中，在可控硅兩端一定要接入RC阻容吸收回路，以避免各種無規則的干擾脈沖所引起的瞬間過壓。如果經常發生可控硅擊穿，請檢查一下吸收回路的各元件是否有燒壞或失效的。
2、其次軟起動器可控硅過流與過熱擊穿：其實過流擊穿與過熱擊穿是一回事。過流擊穿就是電流在通過可控硅芯片時在芯片內部產生熱效應，使芯片溫度升高，當芯片溫度達到175℃時芯片就會失效且不能恢復。在正常的使用條件下，只要工作電流不超過可控硅額定電流是不會發生這種熱擊穿的，因為過流擊穿原理是由于溫度升高所引起的，而溫度升高的過程是需要一定時間的，所以在短時間內過流（幾百毫秒到幾秒時間）一般是不會擊穿的。
3、再就是軟起動器可控硅過熱擊穿：這里所說的過熱擊穿是指在工作電流并不超過可控硅額定電流的情況下而發生的熱擊穿，發生這種擊穿的原因主要是可控硅的輔助散熱裝置工作不良而引起可控硅芯片溫度過高導致擊穿。
知道了問題原因那么改善辦法就有了，避免可控硅擊穿有效的辦法為：
1，適當增大散熱器散熱能力，具體可以選用質量好的散熱器，增大散熱器的散熱面積。
2，可控硅耐壓選擇高一點，一般400V軟起動器可控硅耐壓選擇1600V為宜，盡量不要使用耐壓為1400V和1200V的晶閘管。
3，選用可控硅時，電流余量也要放大2.5倍左右。
4，記得給可控硅配備阻容吸收回路。
5，選用質量好的可控硅做為軟起動器元件。
通過以上幾項措施，相信軟起動器可控硅擊穿會得到有效的解決的。